半导体材料特性
不同类型和型号的半导体材料，其禁带宽度、载流子迁移率等特性不同。禁带宽度较小的材料，电子更容易从价带跃迁到导带，导通电压相对较低。例如，采用碳化硅等新型半导体材料的固态去耦合器，其导通电压可能比传统硅材料的更低，且具有更好的高温性能和抗干扰能力。
制造工艺
制造过程中的工艺参数，如杂质掺杂浓度、扩散深度、氧化层厚度等，会直接影响半导体器件的性能，进而影响导通电压。精确控制杂质掺杂浓度可以改变半导体的导电性能，使导通电压达到设计要求。若掺杂浓度不均匀，可能导致导通电压不稳定或偏离预期值。
温度
一般情况下，温度升高，半导体材料的载流子浓度增加，迁移率降低。这会使固态去耦合器的导通电压呈现出一定的温度特性，通常是温度升高，导通电压略有下降。例如，在高温环境下，固态去耦合器的导通电压可能会比常温时降低 0.1 - 0.2V。
阴极保护电流密度
当阴极保护电流密度发生变化时，固态去耦合器两端的电压也会受到影响。电流密度增大，会使半导体器件内部的电场分布发生变化，导致导通电压升高。因为较大的电流密度需要更高的电压来驱动电荷的移动，以维持正常的导通状态。
管道涂层状况
管道涂层的质量和完整性会影响管道表面的电位分布。如果涂层破损严重，管道表面与土壤之间的接触面积增大，杂散电流更容易进入管道，这会导致固态去耦合器需要承受更大的电流，从而使导通电压升高。良好的管道涂层可以减少杂散电流的干扰，有助于维持较低且稳定的导通电压。
接地电阻
接地电阻的大小会影响固态去耦合器的工作环境。接地电阻过大，会导致接地系统的电位升高，使得固态去耦合器两端的电位差发生变化，进而影响导通电压。例如，在接地电阻较高的地区，固态去耦合器的导通电压可能会比接地良好的地区高出 0.2 - 0.3V。
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