日本CSC司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。
模型fz - t - 10000 h -八世(vpo)电脑
卤素灯系统
灯和镜子的数量4个
镜子数量4片
大气
压力
压力0.95 MPa
真空6.7×10-3Pa (5×10-5 Torr)
室
(石英管)
常压φ 50mm / 365 mm长/ 2mm厚
高压φ 50mm / 365 mm长/ 5mm厚
轴密封为o型密封圈
Max。温度2200℃
常温1850℃
灯功率1200w (300W × 4个灯)
4,000W (1,000W x 4盏灯)
6,000W (1,500W × 4盏灯)
镜台/轴镜台与上轴垂直转移
周围温差
杆面
＜30℃
灯具冷却空气
镜面冷却空气
Max。晶体长度(mm) 150
Max。进给长度(mm) 150
生长罕见缓慢移动0.01~300mm/hr
生长速度快移6~150mm/min
轴转速5~100rpm
监控CCD摄像头和LCD
控制系统计算机LabVIEW / Windows 10(带远程控制功能)
手动Hand-control-box
①5L/min氩气流量计(*1)
②500cc/min氧流量计
③10L/min带压缩机的空气流量计
公用事业电力3相200V, 40A
水冷：3 ~ 5 l / min
尺寸(mm)主体W850×D760×H1950
控制箱W605×D760×H1700
备注:
1. 可选灯功率:150W / 500W / 750W
2. (*1)可更改其他类型的气体和流量。
3. 质量保证:
Crystal Systems Corporation保证自安装之日起一(1)年内有效，但以下情况除外
不正常使用。(1)灯(2)镜子(3)石英管等玻璃器皿不在保修期内。
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